| Certificação: | Original Parts | 
|---|---|
| Número do modelo: | IS61WV25616BLL-10TLI | 
| Quantidade de ordem mínima: | 1 parte | 
| Preço: | Negotiation | 
| Detalhes da embalagem: | 10cm x 10cm x 5cm | 
| Tempo de entrega: | 3-5 dias de trabalho | 
| Termos de pagamento: | T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro | 
| Habilidade da fonte: | 500-2000pcs pelo mês | 
| N. º produto: | IS61WV25616BLL-10TLI | Tipo da memória: | Temporário | 
|---|---|---|---|
| formato da memória: | SRAM | Tamanho da memória: | Tamanho da memória | 
| Realçar: | Circuitos integrados IC,microplaqueta eletrônica de IC | ||
Microplaqueta de IC da memória de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI da MICROPLAQUETA de IC - paralela assíncrona 10ns TSOP44 de IC 4Mb da memória
CARACTERÍSTICAS:
ALTA VELOCIDADE: (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns
• Baixo Ative Power: 85 mW (típicos)
• Baixo poder à espera: apoio de 7 mW CMOS (típico)
BAIXA POTÊNCIA: (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Tempo de acesso de alta velocidade: 25, 35, 45 ns
• Baixo Ative Power: 35 mW (típicos)
• Baixo poder à espera: 0,6 apoios do mW CMOS (típico)
• Única fonte de alimentação
—DD 1.65V de V a 2.2V (IS61WV25616Axx)
—DD 2.4V de V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido
• Três saídas do estado
• Controle de dados para bytes superiores e mais baixos
• Apoio industrial e automotivo da temperatura
• Disponível sem chumbo
DESCRIÇÃO
O ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx
são de alta velocidade, 4.194.304 ram estáticas do bocado organizadas como 262.144 palavras por 16 bocados. É tecnologia de capacidade elevada do CMOS dos usingISSI fabricados. Este pro cess altamente confiáveis acoplados com técnicas de projeto inovativas do circuito,
rendimentos de capacidade elevada e baixa potência consumo de vício.
Quando o CE for ALTO (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser reduzida para baixo com níveis de entrada do CMOS.
A expansão de memória fácil é fornecida usando a microplaqueta permite e para output permita entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite a escrita dos controles de (WE) e a leitura da memória. Um byte de dados permite o byte superior (UB) e um mais baixo acesso de (LB) do byte.
Os IS61WV25616Axx/Bxx e os IS64WV25616Bxx são empacotados no tipo II do pino TSOP do padrão 44 de JEDEC e 48 fixam mini BGA (6mm x 8mm).
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Máximo. | Unidade | 
| VOH | Alta tensão da saída | VDD = Min., IOH = – 4,0 miliampères | 2,4 | — | V | 
| VOL | BAIXA tensão da saída | VDD = Min., IOL = 8,0 miliampères | — | 0,4 | V | 
| VIH | Alta tensão da entrada | 2 | VDD + 0,3 | V | |
| VIL | BAIXA tensão da entrada (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
| MIMLI | Escapamento da entrada | £ V DA TERRANODD DO £ V | – 1 | 1 | µA | 
| MIMLO | Escapamento da saída | ODD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitou | – 1 | 1 | µA | 
Nota:
1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Máximo. | Unidade | 
| VOH | Alta tensão da saída | VDD = Min., IOH = – 1,0 miliampères | 1,8 | — | V | 
| VOL | BAIXA tensão da saída | VDD = Min., IOL = 1,0 miliampères | — | 0,4 | V | 
| VIH | Alta tensão da entrada | 2,0 | VDD + 0,3 | V | |
| VIL | BAIXA tensão da entrada (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
| MIMLI | Escapamento da entrada | £ V DA TERRANODD DO £ V | – 1 | 1 | µA | 
| MIMLO | Escapamento da saída | DD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitadas | – 1 | 1 | µA | 
Nota:
1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | VDD | Mínimo. | Máximo. | Unidade | 
| VOH | Alta tensão da saída | MimOH = -0,1 miliampères | 1.65-2.2V | 1,4 | — | V | 
| VOL | BAIXA tensão da saída | MimOL = 0,1 miliampères | 1.65-2.2V | — | 0,2 | V | 
| VIH | Alta tensão da entrada | 1.65-2.2V | 1,4 | VDD + 0,2 | V | |
| VIL (1) | BAIXA tensão da entrada | 1.65-2.2V | – 0,2 | 0,4 | V | |
| MIMLI | Escapamento da entrada | £ V DA TERRANODD DO £ V | – 1 | 1 | µA | |
| MIMLO | Escapamento da saída | DD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitadas | – 1 | 1 | µA | |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
| Parâmetro | Unidade | Unidade | Unidade | 
| (2.4V-3.6V) | (3.3V +10%) | (1.65V-2.2V) | |
| InputPulseLevel | 0Vto3V | 0Vto3V | 0Vto1.8V | 
| Elevação da entrada e tempos de queda | 1V/ ns | 1V/ ns | 1V/ ns | 
| AndReferenceLevel de InputandOutputTiming (referênciade V) | 1.5V | 1.5V | 0.9V | 
| OutputLoad | Veja figuras 1 e 2 | Veja figuras 1 e 2 | Veja figuras 1 e 2 |