Certificação: | Original Parts |
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Número do modelo: | IS61WV25616BLL-10TLI |
Quantidade de ordem mínima: | 1 parte |
Preço: | Negotiation |
Detalhes da embalagem: | 10cm x 10cm x 5cm |
Tempo de entrega: | 3-5 dias de trabalho |
Termos de pagamento: | T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro |
Habilidade da fonte: | 500-2000pcs pelo mês |
N. º produto: | IS61WV25616BLL-10TLI | Tipo da memória: | Temporário |
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formato da memória: | SRAM | Tamanho da memória: | Tamanho da memória |
Realçar: | Circuitos integrados IC,microplaqueta eletrônica de IC |
Microplaqueta de IC da memória de SRAM IS61WV25616BLL-10TLI da MICROPLAQUETA de IC - paralela assíncrona 10ns TSOP44 de IC 4Mb da memória
CARACTERÍSTICAS:
ALTA VELOCIDADE: (IS61/64WV25616ALL/BLL)
• Tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns
• Baixo Ative Power: 85 mW (típicos)
• Baixo poder à espera: apoio de 7 mW CMOS (típico)
BAIXA POTÊNCIA: (IS61/64WV25616ALS/BLS)
• Tempo de acesso de alta velocidade: 25, 35, 45 ns
• Baixo Ative Power: 35 mW (típicos)
• Baixo poder à espera: 0,6 apoios do mW CMOS (típico)
• Única fonte de alimentação
—DD 1.65V de V a 2.2V (IS61WV25616Axx)
—DD 2.4V de V a 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)
• Operação inteiramente estática: nenhum pulso de disparo ou refresca exigido
• Três saídas do estado
• Controle de dados para bytes superiores e mais baixos
• Apoio industrial e automotivo da temperatura
• Disponível sem chumbo
DESCRIÇÃO
O ISSI IS61WV25616Axx/Bxx e IS64WV25616Bxx
são de alta velocidade, 4.194.304 ram estáticas do bocado organizadas como 262.144 palavras por 16 bocados. É tecnologia de capacidade elevada do CMOS dos usingISSI fabricados. Este pro cess altamente confiáveis acoplados com técnicas de projeto inovativas do circuito,
rendimentos de capacidade elevada e baixa potência consumo de vício.
Quando o CE for ALTO (deselected), o dispositivo supõe um modo à espera em que a dissipação de poder pode ser reduzida para baixo com níveis de entrada do CMOS.
A expansão de memória fácil é fornecida usando a microplaqueta permite e para output permita entradas, CE e OE. O PONTO BAIXO ativo escreve permite a escrita dos controles de (WE) e a leitura da memória. Um byte de dados permite o byte superior (UB) e um mais baixo acesso de (LB) do byte.
Os IS61WV25616Axx/Bxx e os IS64WV25616Bxx são empacotados no tipo II do pino TSOP do padrão 44 de JEDEC e 48 fixam mini BGA (6mm x 8mm).
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Máximo. | Unidade |
VOH | Alta tensão da saída | VDD = Min., IOH = – 4,0 miliampères | 2,4 | — | V |
VOL | BAIXA tensão da saída | VDD = Min., IOL = 8,0 miliampères | — | 0,4 | V |
VIH | Alta tensão da entrada | 2 | VDD + 0,3 | V | |
VIL | BAIXA tensão da entrada (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
MIMLI | Escapamento da entrada | £ V DA TERRANODD DO £ V | – 1 | 1 | µA |
MIMLO | Escapamento da saída | ODD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitou | – 1 | 1 | µA |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Máximo. | Unidade |
VOH | Alta tensão da saída | VDD = Min., IOH = – 1,0 miliampères | 1,8 | — | V |
VOL | BAIXA tensão da saída | VDD = Min., IOL = 1,0 miliampères | — | 0,4 | V |
VIH | Alta tensão da entrada | 2,0 | VDD + 0,3 | V | |
VIL | BAIXA tensão da entrada (1) | – 0,3 | 0,8 | V | |
MIMLI | Escapamento da entrada | £ V DA TERRANODD DO £ V | – 1 | 1 | µA |
MIMLO | Escapamento da saída | DD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitadas | – 1 | 1 | µA |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS da C.C. (sobre a escala de funcionamento)
Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | VDD | Mínimo. | Máximo. | Unidade |
VOH | Alta tensão da saída | MimOH = -0,1 miliampères | 1.65-2.2V | 1,4 | — | V |
VOL | BAIXA tensão da saída | MimOL = 0,1 miliampères | 1.65-2.2V | — | 0,2 | V |
VIH | Alta tensão da entrada | 1.65-2.2V | 1,4 | VDD + 0,2 | V | |
VIL (1) | BAIXA tensão da entrada | 1.65-2.2V | – 0,2 | 0,4 | V | |
MIMLI | Escapamento da entrada | £ V DA TERRANODD DO £ V | – 1 | 1 | µA | |
MIMLO | Escapamento da saída | DD do £ Vdo £ V da terraPARA FORA, saídas desabilitadas | – 1 | 1 | µA |
Nota:
1. VIL (mínimo) = – C.C. 0.3V; VIL (mínimo) = – C.A. 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
VIH (máximo) = V C.C.DD + 0.3V; VIH (máximo) = V C.A.DD + 2.0V (largura de pulso < 10="" ns="">
Parâmetro | Unidade | Unidade | Unidade |
(2.4V-3.6V) | (3.3V +10%) | (1.65V-2.2V) | |
InputPulseLevel | 0Vto3V | 0Vto3V | 0Vto1.8V |
Elevação da entrada e tempos de queda | 1V/ ns | 1V/ ns | 1V/ ns |
AndReferenceLevel de InputandOutputTiming (referênciade V) | 1.5V | 1.5V | 0.9V |
OutputLoad | Veja figuras 1 e 2 | Veja figuras 1 e 2 | Veja figuras 1 e 2 |