Memória da GOLE de H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 (256MX16, CMOS, PBGA96) As peças são uma GOLE síncrono da taxa de dados III do dobro da baixa potência 4Gb (DDR3L), serida idealmente para as aplicações da memória ... Read More
K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28, CHIP DE MEMÓRIA de BGA Samsung GDDR5 consegue rapidamente o vídeo e o desempenho 3D gráfico-intensivo, com uma taxa de dados quase três vezes mais rapidamente do que GDDR3. ... Read More
Armazenamento da FBGA-memória K4Z80325BC-HC16 de GDDR6 SAMSUNG 8G 256X32M GDDR6 apoia a escala de aplicações a mais larga, dos aceleradores para o informática de alto rendimento, às estações de trabalho, aos ... Read More
Chip de memória MT51J256M32HF-80 da GOLE: Um chip de memória da PARALELA 170FBGA de IC RAM 8G SGRAM - paralela (800) (2192) 170-FBGA pval pval de IC 8Gb do armazenamento GDDR5 (256M x 32) (12x14) Caracter... Read More
Chip de memória MT51J256M32HF-70 da GOLE: Um chip de memória da PARALELA 170FBGA de IC RAM 8G SGRAM - paralela (800) (2192) 170-FBGA pval pval de IC 8Gb do armazenamento GDDR5 (256M x 32) (12x14) Caracter... Read More
Armazenamento do chip de memória do chip de memória H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 da GOLE do chip de memória da GOLE Características: VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V) · VDD2 e VDDCA = 1.1V (1.06V a 1.17V) · VDDQ = ... Read More
Armazenamento do chip de memória do chip de memória H9CCNNN8JTALAR 8Gb LPDDR3 BGA178 da GOLE H9CCNNN8JTALAR Características: [FBGA] Temperatura da operação - -30 ' C ~ 105' C Packcage - 178-ball FBGA - 11.0x11... Read More
Chip de memória MT51J256M32HF-80 da gole: Um 8Gb: x16, x32 GDDR5 SGRAM Especificações detalhadas: Densidade 8Gb Nome do produto GDDR5 Estado da parte Produção RoHS Sim Profundidade 256Mb Largura x32 MT/s 8,0 Gb... Read More
