Microplaqueta de memória Flash do de alta capacidade TC58BYG1S3HBAI6, movimentação 67VFBGA do flash de 2gb Nand

TC58BYG1S3HBAI6 é um único 1.8V 2 Gbit (2.214.592.512 bocados) NAND eletricamente apagável e memória de leitura apenas programável (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) o × 2048blocks das páginas do × 64 dos bytes. O dispositivo tem um registro estático de 2112 bytes que permita o programa e os dados lidos a ser transferidos entre o registro e os incrementos dos bytes da disposição de pilha da memória em 2112. A operação do Erase é executada em uma única unidade do bloco (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 páginas do × 64 dos bytes).

O TC58BYG1S3HBAI6 é um de série-tipo dispositivo de memória que utilize os pinos do I/O para o endereço e o entrada/saída dos dados assim como para entradas de comando. As operações do Erase e do programa são executadas automaticamente que fazem o dispositivo o mais apropriado para as aplicações tais como o armazenamento de arquivo de circuito integrado, a gravação da voz, a memória do arquivo de imagem para câmeras imóveis e os outros sistemas que exigem o armazenamento de dados high-density da memória permanente.

O TC58BYG1S3HBAI6 tem a lógica da CCE na microplaqueta e os erros 8bit lidos para cada 528Bytes podem ser corrigidos internamente

Atributos técnicos