Microplaqueta de memória Flash de W9725G6JB25I-ND, PARALELA instantânea 84WBGA da GOLE 256mb Nand de IC

Microplaqueta de memória Flash W9725G6JB25I-ND, GOLE 256M 84WBGA PARALELO de IC

Descrição:

O W9725G6JB é os bocados DDR2 SDRAM de 256M, organizado como 4.194.304 palavras x 4 bancos x 16 bocados. Este dispositivo consegue taxas de transferência de alta velocidade até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para várias aplicações. W9725G6JB é classificado nas seguintes categorias da velocidade: -18, -25, 25I, 25A, 25K e -3. As -18 peças da categoria são complacentes (7-7-7) à especificação DDR2-1066. As peças da categoria de -25/25I/25A/25K são complacentes (6-6-6) à especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (as peças industriais da categoria 25I que é garantida para apoiar o ≤ do ≤ TCASE de -40°C 95°C). As -3 peças da categoria são complacentes (5-5-5) à especificação DDR2-667.

A temperatura automotivo das peças da categoria, se oferecido, tem duas exigências simultâneas: a temperatura ambiental (TA) que cerca o dispositivo não pode ser menos do que -40°C ou maior do que +95°C (para 25A), +105°C (para 25K), e a temperatura de caso (TCASE) não podem ser menos do que -40°C ou maior do que +95°C (para 25A), +105°C (para 25K). As especificações de JEDEC exigem a taxa de refrescamento dobrar quando TCASE excede +85°C; isto igualmente exige o uso do auto de alta temperatura refresca a opção. Adicionalmente, a resistência de ODT e a impedância do entrada/saída devem ser derated quando TCASE é < 0=""> +85°C.

Todas as entradas do controle e do endereço são sincronizadas com um par de pulsos de disparo diferenciais externamente fornecidos. As entradas são travadas no ponto transversal dos pulsos de disparo diferenciais (CLK que aumentam e NÃO CLK que cai). Todos os I/Os são sincronizados com um único DQS ou par terminado do diferencial DQS- NÃO DQS em uma forma síncrono da fonte.

Características:

• Fonte de alimentação: VDD, VDDQ = ± 0.1V de 1,8 V
• Arquitetura dobro da taxa de dados: duas transferências de dados pelo ciclo de pulso de disparo
• Latência de CAS: 3, 4, 5, 6 e 7
• Comprimento da explosão: 4 e 8
• Os estroboscópios bidirecionais, diferenciais dos dados (DQS e NÃO DQS) são transmitidos/recebidos com dados
• Borda-alinhado com os dados lidos e centro-alinhado com redija dados
• O DLL alinha transições de DQ e de DQS com o pulso de disparo
• Entradas de pulso de disparo diferencial (CLK e NÃO CLK)
• Os dados mascaram (DM) para redigem dados
• Os comandos incorporados em cada borda de CLK, dados e máscara positivos dos dados são providos a ambas as bordas de DQS
• NÃO latência aditiva programável afixada de CAS apoiada para fazer a eficiência do ônibus do comando e de dados
• Leia a latência = latência aditiva mais a latência de CAS (RL = AL + o CL)
• Ajuste da impedância do Fora-Microplaqueta-motorista (OCD) e Em-Dado-terminação (ODT) para a melhor qualidade de sinal
• a operação da Auto-pré-carga para lido e escreve explosões
• O automóvel refresca e o auto refresca modos
• Poder pré-carregado para baixo e Ative Power para baixo
• Escreva a máscara dos dados
• Escreva a latência = a latência lida - 1 (WL = RL - 1)
• Relação: SSTL_18
• Empacotado na bola de WBGA 84 (² de 8X12.5 milímetro), usando materiais sem chumbo com o RoHS complacente