| Certificação: | Original Parts |
|---|---|
| Número do modelo: | TC58NVG0S3HBAI4 |
| Quantidade de ordem mínima: | 1 parte |
| Preço: | negotiable |
| Detalhes da embalagem: | 10cm x 10cm x 5cm |
| Tempo de entrega: | 3-5 dias de trabalho |
| Termos de pagamento: | T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro |
| Habilidade da fonte: | 500-2000pcs pelo mês |
| Artigo Numbe: | TC58NVG0S3HBAI4 | Denisty: | 1Gb (128M x 8) |
|---|---|---|---|
| Categoria de produtos: | Memória & memória Flash | Relação da memória: | Paralela |
| Volt.: | 2,7 V ~ 3,6 V | Tecnologia: | FLASH - NAND (TLC) |
| Temp.: | -40°C ~ 85°C (TA) | Pacote: | BGA63 |
| Destacar: | microplaqueta da memória Flash CI,microplaqueta de controlador da memória Flash |
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PARALELA 63TFBGA do FLASH 1G da microplaqueta de memória Flash TC58NVG0S3HBAI4 IC
| Categorias | Circuitos integrados (ICs) | |
|---|---|---|
| Memória | ||
| Fabricante | Toshiba Memória América, Inc. | |
| Série | - | |
| Empacotamento | Bandeja | |
| Estado da parte | Ativo | |
| Tipo da memória | Permanente | |
| Formato da memória | FLASH | |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) | |
| Tamanho de memória | 1Gb (128M x 8) | |
| Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 25ns | |
| Tempo de acesso | 25ns | |
| Relação da memória | Paralela | |
| Tensão - fonte | 2,7 V ~ 3,6 V | |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| Tipo da montagem | Montagem de superfície | |
| Pacote/caso | 63-VFBGA | |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | 63-TFBGA (9x11) |
Característica:
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