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Casa ProdutosChip de memória da gole

Eficiência elevada da montagem da superfície do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da gole de H5TQ4G63CFR-RDC

de boa qualidade Processadores do processador central do portátil para vendas
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Eficiência elevada da montagem da superfície do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da gole de H5TQ4G63CFR-RDC

China Eficiência elevada da montagem da superfície do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da gole de H5TQ4G63CFR-RDC fornecedor

Imagem Grande :  Eficiência elevada da montagem da superfície do chip de memória 256MX16 CMOS PBGA96 da gole de H5TQ4G63CFR-RDC

Detalhes do produto:

Lugar de origem: COREIA
Marca: SK HYNIX
Certificação: ORIGINAL PARTS
Número do modelo: H5TQ4G63CFR-RDC

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1 pacote
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: pacote da bandeja, 1600/box
Tempo de entrega: 3-5 dias de trabalho
Termos de pagamento: T/T, Paypal, Western Union, compromisso e outro
Habilidade da fonte: 10K pelo mês
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Descrição de produto detalhada
N. º produto: H5TQ4G63CFR-RDC Tipo de IC da memória: GOLE DA RDA
Modo de acesso: MULTI EXPLOSÃO DA PÁGINA DO BANCO Pacote: R-PBGA-B96
Largura da memória: 16 Montagem: Surface Mount

GOLE do chip de memória H5TQ4G63CFR-RDC RDA da gole, 256MX16, CMOS, PBGA96
 
O H5TQ4G63 é uma GOLE síncrono da taxa de 4.294.967.296 dados III do dobro do CMOS do bocado (DDR3), serida idealmente para as aplicações da memória central que exija a grande densidade de memória e a largura de banda alta. Operações inteiramente síncronos da oferta de SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMs providas às bordas de aumentação e de queda do pulso de disparo. Quando todos os endereços e entradas de controle estiverem travados nas bordas de aumentação das CK (bordas de queda das CK), os dados, estroboscópios dos dados e escrevem máscaras que dos dados as entradas são provadas em bordas de aumentação e de queda dele. Os trajetos de dados internamente são canalizados e de 8 bits prefetched para conseguir a largura de banda muito alta.
 

Características

  • VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
  • Operação das entradas de pulso de disparo inteiramente diferencial (CK, CK)
  • Estroboscópio diferencial dos dados (DQS, DQS)
  • No DLL da microplaqueta alinhe a transição de DQ, de DQS e de DQS com a transição das CK
  • As máscaras do DM escrevem dados- nas bordas de aumentação e de queda do estroboscópio dos dados
  • Todos os endereços e entradas de controle exceto os dados, os estroboscópios dos dados e as máscaras dos dados travados nas bordas de aumentação do pulso de disparo
  • Latência programável 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 e 14 de CAS apoiados
  • Latência aditiva programável 0, CL-1, e CL-2 apoiado
  • CAS programável escreve a latência (CWL) = 5, 6, 7, 8 9 e 10
  • Comprimento programável 4/8 da explosão com a mordidela sequencial e o modo da intercalação
  • Interruptor do BL sobre - - mosca
  • 8banks
  • A média refresca o ciclo (Tcase de 0°C~ 95°C)
    • 7,8 µs em 0°C ~ 85°C
    • 3,9 µs em 85°C ~ temperatura 95°C comercial (0°C ~ 95°C) temperatura industrial (-40°C ~ 95°C)
  • Padrão 78ball FBGA de JEDEC (x8), 96ball FBGA (x16)
  • Força do motorista selecionada por EMRS
  • Dinâmico morre sobre a terminação apoiada
  • Pino assíncrono da RESTAURAÇÃO apoiado
  • Calibração de ZQ apoiada
  • TDQS (estroboscópio dos dados da terminação) apoiado (x8 somente)
  • Escreva Levelization apoiou
  • pre-esforço de 8 bocados

Atributos técnicos

 
 
 
 
 

ECCN/UNSPSC

 
 

Contacto
TAISHENG INT'L TECHNOLOGY(HK) LIMITED

Pessoa de Contato: Karen.

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